发明名称 | 低温低压热辐射治疗器温控模块 | ||
摘要 | 一种低温低压热辐射治疗器温控模块,其可控硅双向开关Th1串接在加热器RL的电源回路中;双向触发开关电路由全桥二极管D1-D4,单向可控硅Th2、Th3,电阻R1、R2,稳压管D5构成,其中全桥二极管的控制端接在双向可控硅Th1的触发端,单向可控硅Th2和串联后的R1、R2、D5并联在全桥二极管的输入端,Th2的触发端接在D5和R2之间,单向可控硅Th3并联在串联的D5和R2的两端,其触发端接在温度传感器R5与温度设定电阻之间,温度传感器一端接地,另一端通过温度设定电阻接温度设定开关;所述电路用环氧树脂灌封成一整体。具有结构简单,体积小,功耗小性能稳定的优点。 | ||
申请公布号 | CN2285540Y | 申请公布日期 | 1998.07.01 |
申请号 | CN97207403.1 | 申请日期 | 1996.12.28 |
申请人 | 王荡 | 发明人 | 王荡 |
分类号 | H05B1/02 | 主分类号 | H05B1/02 |
代理机构 | 重庆市专利事务所 | 代理人 | 刘小红 |
主权项 | 1.一种低温低压热辐射治疗器温控模块,包括双向开关、双向触发开关电路和温度传感器,其特征在于:可控硅双向开关Th1串接在加热器RL的电源回路中;双向触发开关电路由全桥二极管D1-D4,单向可控硅Th2、Th3,电阻R1、R2,稳压管D5构成,其中全桥二极管的控制端接在双向可控硅Th1的触发端,单向可控硅Th2和串联后的R1、R2、D5并联在全桥二极管的输入端,Th2的触发端接在D5和R2之间,单向可控硅Tb3并联在串联的D5和R2的两端,其触发端接在温度传感器R5与温度设定电阻之间,温度传感器一端接地,另一端通过温度设定电阻接温度设定开关;所述电路除温度传感器,全部装入盒内,用环氧树脂灌封成一整体。 | ||
地址 | 400039重庆市石桥铺科园四路168号D栋二楼 |