| 发明名称 | 生产MOS控制功率半导体组件的方法 | ||
| 摘要 | 一种生产MOS控制功率半导体组件(30)的方法。控制双极晶体管的MOS沟道结构(39,42,43)处在发射极侧,它包括第二导电类型的处在发射区(37)上面的源区(43)、第一导电类型的处在源区(43)与基区(32)之间的发射区(37)边缘的沟道区(42)和以绝缘方式处在沟道区(42)上面的栅电极(39)。这样来设置短路时的电流密度和空穴旁路电阻:构成MOS沟道结构(39,42,43)的沟道宽度,并且该沟道宽度的构成是借助用于组件生产的其它掩蔽步骤中的一个掩蔽步骤非直接地完成的。 | ||
| 申请公布号 | CN1186331A | 申请公布日期 | 1998.07.01 |
| 申请号 | CN97126272.1 | 申请日期 | 1997.12.23 |
| 申请人 | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 | 发明人 | U·泰伊曼 |
| 分类号 | H01L21/331 | 主分类号 | H01L21/331 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种生产MOS控制功率半导体组件(30，45)的方法，其特征在于：所述功率半导体组件(30，45)在共同的衬底(31，46)上包括多个组件单元(59)，它们布置成一个接一个，并且并联连接，双极晶体管由第一导电类型的集电极区(33，48)、第二导电类型的上部基区(32，47)和第一导电类型的发射区(37，49)组成，此发射区从上面嵌入基区(32，47)，并在每个组件单元(59)都有，控制双极晶体管的MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)处在发射极侧，此MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)包括第二导电类型的处在发射区(37，49)上面的源区(43，57)、第一导电类型的处在源区(43，57)与基区(32，47)之间的发射区(37，49)边缘的沟道区(42，56)和以绝缘方式处在沟道区(42，56)上面的栅电极(39，54)，其中构成了MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)的沟道宽度，而其中MOS沟道结构(39，42，43和54，56，57)的沟道宽度的构成是通过借助用于组件生产过程的其它掩蔽步骤中的一个掩蔽步骤非直接地完成的。 | ||
| 地址 | 瑞士巴登 | ||