发明名称 | 利用依赖磁场强度的软磁元件的阻抗变化的磁传感器及其制造方法 | ||
摘要 | 磁传感器包括具有互相相对的第一和第二表面的绝缘基片,具有末端互相相对的软磁元件并装在绝缘基片的第一表面上,和装在绝缘基片的第二表面上的导体,和耦合到软磁元件的第一和第二端的输出端口,以得到在第一和第二端间软磁元件的阻抗。阻抗变化依赖于加到软磁元件的磁场强度。在磁传感器中,软磁元件是软磁线。导体是接地导体。磁传感器还包括用接地导体连接软磁线的第一端的短路导体,同时输出端口连接短路导体和软磁线的第二端。软磁元件包括软磁薄膜。 | ||
申请公布号 | CN1186295A | 申请公布日期 | 1998.07.01 |
申请号 | CN97121378.X | 申请日期 | 1997.09.16 |
申请人 | 株式会社东金;荒井贤一 | 发明人 | 吉田哲男;荒井贤一 |
分类号 | G11B5/33;G11B5/31 | 主分类号 | G11B5/33 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠;王岳 |
主权项 | 1、一种用于检测磁场强度的磁传感器,包括:具有第一和第二互相相对的表面的绝缘基片;具有第一和第二互相相对的末端并装在所述绝缘基片的所述第一表面上的软磁元件;装在所述绝缘基片的所述第二表面上的导体;和耦合到所述软磁元件的所述第一和所述第二末端的输出端口,以得出在所述第一和所述第二末端之间的所述软磁元件的阻抗,所述阻抗变化依赖于施加到所述软磁元件的磁场强度。 | ||
地址 | 日本宫城县 |