| 发明名称 |
HEAT TREATMENT METHOD AND ITS DEVICE FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10172977(A) |
申请公布日期 |
1998.06.26 |
| 申请号 |
JP19960331189 |
申请日期 |
1996.12.11 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
发明人 |
SAITO YOSHIHIRO |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/324;(IPC1-7):H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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