METHOD FOR MANUFACTURING A MEMORY CELL CONFIGURATION

摘要

Zur Herstellung einer Speicherzellenanordnung mit ersten Speicherzellen, die einen vertikalen MOS-Transistor aufweisen, und mit zweiten Speicherzellen, die keinen MOS-transistor aufweisen, wobei die Speicherzellen entlang gegenüberliegenden Flanken von streifenförmigen Gräben angeordnet sind, werden entlang der Gräben (5) benachbarte Speicherzellen nacheinander hergestellt. Der Abstand benachbarter Speicherzellen wird insbesondere durch eine Spacertechnik bestimmt. Dadurch ist ein Platzbedarf pro Speicherzelle von 1F<2> realisierbar, wobei F die minimale Strukturgrösse der jeweiligen Technologie ist.