具有纵向型和横向型双极晶体管的半导体器件

摘要

一种半导体器件,具有P型半导体衬底1、在半导体衬底1上形成的纵向型双极晶体管和横向型和横向型双极晶体管都具有N型基区4,N型集电极区7a、N型发射极区8以及P型绝缘扩散区7b用来隔离纵向型和横向型双极晶体管,横向型双极晶体管的集电区和发射区中的至少一个区的深度与绝缘扩散区7b的深度基本上相同。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一导电型的半导体衬底；在所述的半导体衬底上形成的纵向型双极晶体管，其具有所述第一导电型的基区；在所述的半导体衬底上形成的横向型双极晶体管，其具有与所述第一导电型相反的第二导电型的基区，所述第一导电型的集电极区和所述第一导电型的发射极区；以及所述第一导电型的绝缘扩散区，用来隔离所述的纵向型和横向型双极晶体管；所述的集电极区和发射极区中的至少一个区的深度与所述的绝缘扩散区的深度基本上相同。