| 发明名称 | 氧化物半导体热敏电阻及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法,其主要是以钴、锰、镍、铁的硝酸盐或醋酸盐为原料,采用液相共沉淀法制备材料粉体,加入乳化剂OP进行清洗,然后将粉体进行分解、研磨、预烧后制成。该热敏电阻为玻璃密封两端引线型,具有体积小,稳定性好,可靠性高等特点,适用于温度测量、控制和线路补偿。 | ||
| 申请公布号 | CN1185633A | 申请公布日期 | 1998.06.24 |
| 申请号 | CN96122179.8 | 申请日期 | 1996.12.14 |
| 申请人 | 中国科学院新疆物理研究所 | 发明人 | 康健;杨文;张昭;王大为 |
| 分类号 | H01C7/00 | 主分类号 | H01C7/00 |
| 代理机构 | 中国科学院新疆专利事务所 | 代理人 | 张莉 |
| 主权项 | 1、一种氧化物半导体热敏电阻及其制造方法，其特征在于，该热敏电阻是以钴、锰、镍、铁的硝酸盐或醋酸盐为原料，采用液相共沉淀法制备材料粉体，加入乳化剂OP进入清洗，然后将粉体进行分解、研磨、预烧，再进行预成型，冷等静压高湿烧结制成；原材料各组份配比为(摩尔百分比％)钴35-40 锰30-40 镍12-16 铁2-6 | ||
| 地址 | 830011新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号 | ||