半导体器件及其制造方法

摘要

提供即使微细化也不改变抗软错误性、同时保持抗软错误性和耐闭锁性、具有防止电路误动作的基片结构的半导体器件及其制造方法。在半导体表面形成的反常规P阱3的底部,形成低浓度杂质层2。该低浓度杂质层2在半导体基片和反常规P阱3之间形成势垒,在抑制因电子产生的软错误的同时,由于在电气上与半导体基片1和反常规P阱3导通,所以限制了用于电位固定的端子数,对半导体集成电路的微细化作出了贡献。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第1导电型的半导体基片，它具有第1杂质浓度；所述第1导电型的第1杂质层，它形成在所述半导体基片的主表面上，并具有带杂质浓度峰值的第2杂质浓度；与所述第1杂质层的下侧接触的第2杂质层，它具有小于所述第1杂质浓度的杂质浓度峰值和所述第2杂质浓度的浓度峰值的第3杂质浓度；和形成在所述第1杂质层上的元件。