Method of manufacturing a floating gate transistor with tunnel oxide,申请号EP19930200612-传众专利搜索

发明名称	Method of manufacturing a floating gate transistor with tunnel oxide
摘要
申请公布号	EP0560435(B1)	申请公布日期	1998.06.24
申请号	EP19930200612	申请日期	1993.03.04
申请人	KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.	发明人	WALKER, ANDREW JAN;VERHAAR, ROBERTUS DOMINICUS JOSEPH
分类号	H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/311	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
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