发明名称 PRODUCTION OF SEMI-INSULATIVE GAAS SINGLE CRYSTAL
摘要
申请公布号 JPH10167898(A) 申请公布日期 1998.06.23
申请号 JP19960332356 申请日期 1996.12.12
申请人 JAPAN ENERGY CORP 发明人 ASAHI TOSHIAKI;ODA OSAMU
分类号 C30B11/00;C30B27/00;C30B29/42;H01L21/208;(IPC1-7):C30B29/42 主分类号 C30B11/00
代理机构 代理人
主权项
地址