| 主权项 |
1.一种形成沟渠隔离的方法,包括下列步骤:a.提供一基底,定义该基底以形成至少一窄沟渠与至少一宽沟渠;b.沈积一第一介电层,使之填满该窄沟渠与该宽沟渠,其厚度约等于该宽沟渠的深度;c.至少在该宽沟渠上方的该第一介电层上形成一第一研磨阻止层;d.定义该第一研磨阻止层与该第一介电层,于该宽沟渠中形成一挡模,其中该挡模具有一平坦的该第一研磨阻止层表面;e.沈积一第二介电层覆盖该矽基底;f.利用化学机械研磨法,去除部份该第二介电层,部份该第一研磨阻止层以形成一平坦表面;以及g.去除该第一研磨阻止层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤a中,在定义该宽沟渠与该浅沟渠之前更包括形成一垫氧化层与一第二研磨阻止层,在步骤f中更包括去除部份该第二研磨阻止层,以及在步骤g中更包括去除该第二研磨阻止层与该垫氧化层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该垫氧化层系以热氧化法所形成,其厚度约2nm。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第二研磨阻止层的材质为氮化矽。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第二研磨阻止层系以低压化学气相沈积法所形成,其厚度约200nm。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该窄沟渠与该宽沟渠的深度约400nm。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该宽沟渠的宽度约大于3m。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤a之后与步骤b之前,更包括以热氧化法在该些沟渠所暴露出的该基底表面形成一第一衬垫氧化层。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层系以半气压气相沈积法,以四乙氧基矽甲烷/臭氧为反应气体所形成。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层的厚度约500nm。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一研磨阻止层的材质为氮化矽。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一研磨阻止层系以低压化学气相沈积法所形成,其厚度约200nm。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤d中,定义后之该第一研磨阻止层到该宽沟渠两侧的距离各约0.5m。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤d之后与步骤e之前,更包括以热氧化法在该些沟渠所暴露出的该基底表面形成一第二衬垫氧化层。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二介电层的厚度约600nm。图示简单说明:第一A图到第一D图显示以一传统制程形成浅沟渠隔离之剖面示意图。第二A图到第二G图显示以本发明之一较佳实施例形成浅沟渠隔离之制程剖面示意图。 |
