| 主权项 |
1.一种快闪记忆体,包含;复数个位元线;及一选择闸装置设备,其包括至少一组复数个选择闸装置,该选择闸装置中至少一组复数个选择闸装置耦合至复数条位元线之一位元线。2.根据申请专利范围第1项之快闪记忆体,其中复数个选择闸装置包含复数个电晶体。3.根据申请专利范围第1项之快闪记忆体,其中复数个选择闸装置包含复数个浮闸装置。4.根据申请专利范围第1项之快闪记忆体,其中复数个选择闸装置包括一电晶体与一浮闸装置。5.根据申请专利范围第1项之快闪记忆体,其中选择闸装置包含一选择闸源极装置。6.根据申请专利范围第5项之快闪记忆体,其中选择闸源极装置包含复数个浮闸装置。7.根据申请专利范围第5项之快闪记忆体,更包含一选择闸汲极装置,其中选择闸汲极装置系一浮闸装置。8.一种于一快闪记忆体中抑制随机规划之方法,包含:a)提供一不欲规划之浮闸装置之通道区域之第一电压,该第一电压于开始时够高足以防止浮闸装置被规划;b)于一第一选择闸装置中提供一第二电压,该装置包括于一选择闸装置,此选择闸装置耦合至不欲规划之装置,其中第二电压小于第一电压,及c)于一第二选择闸装置中提供一第三电压,第二闸装置系包括于选择闸装置中,其中第三电压小于第二电压。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中第三电压系0。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中第一与第二选择闸装置系浮闸装置。11.根据申请专利范围第8项之方法,其中第一与第二选择闸装置系电晶体。12.根据申请专利范围第8项之方法,其中第一与第二选择闸装置包括至少一电晶体与至少一浮闸装置。13.一种快闪记忆体,包含;复数个位元线;及一选择闸装置设备,其包括复数个选择闸装置,其中复数组中之各组耦合至复数个位元线之一位元线。14.根据申请专利范围第13项之快闪记忆体,其中各组选择闸装置包含复数个电晶体。15.根据申请专利范围第13项之快闪记忆体,其中各组选择闸装置包含复数个浮闸装置。16.根据申请专利范围第13项之快闪记忆体,其中选择闸装置包含一选择闸源极装置。17.根据申请专利范围第16项之快闪记忆体,其中选择闸源极装置包含复数个浮闸装置。18.根据申请专利范围第16项之快闪记忆体,更包含一选择闸汲极装置,其中选择闸汲极装置系一浮闸装置。19.一种于一快闪记忆体中抑制随机规划之系统,包含:a)提供一不欲规划之浮闸装置之通道区域第一电压的装置,该第一电压于开始时够高足以防止浮闸装置被规划;b)于一第一选择闸装置中提供一第二电压的装置,该装置包括于一选择闸装置,此选择闸装置耦合至不欲规划之装置,其中第二电压小于第一电压,及c)于一第二选择闸装置中提供一第三电压的装置,第二闸装置系包括于选择闸装置中,其中第三电压小于第三电压。20.根据申请专利范围第19项之系统,其中第二电压系0。21.根据申请专利范围第19项之系统,其中第一与第二选择闸装置系浮闸装置。22.根据申请专利范围第19项之系统,其中第一与第二选择闸装置系电晶体。23.根据申请专利范围第19项之系统,其中第一与第二选择闸装置包括至少一电晶体与至少一浮闸装置。图示简单说明:第一图是传统快闪记忆体的示意图。第二图是浮闸装置示意图。第三图是规划抑制方式的传统方法与系统。第四图的图形是抑制位元线中浮闸装置的通道区域中的电压衰减曲线。第五图是传统电晶体的示意图。第六图是根据本发明较佳实施例的系统与方法。第七A图与第七B图绘示根据本发明的选择闸源极装置的2个其他实施例。第八A-八D图绘示根据本明发明的选择闸汲极装置的额外实施例。 |
