| 主权项 |
1.一种衰减嵌入式相移光罩坯料,其能够在所选定之石印波长<400毫微米下产生180相移并具有光学透射系数为至少0.001,该光罩坯料包含光学透明材料与光学吸收性材料之交替层2.根据申请专利范围第1项之光罩坯料,其中光学透明材料系选自包括金属氧化物、金属氮化物、硷土金属氟化物及其混合物。3.根据申请专利范围第1项之光罩坯料,其中光学透明材料系选自包括(a)Hf、Y、Zr、Al、Si或Ge之氧化物;(b)Al、Si、B或C之氮化物;(c)Mg、Ba或Ca之氟化物,(d)其混合物。4.根据申请专利范围第1项之光罩坯料,其中光学吸收性材料系选自包括元素金属、金属氧化物、金属氮化物及其混合物。5.根据申请专利范围第1项之光罩坯料,其中光学吸收性材料系选自包括(a)Cr、Ti、Fe、In、Co、Bi、Mn、Cu、Sn、Ni、V、Ta、Mo、Ru、在镧系元素中之金属或W之氧化物;(b)Ti、Nb、Mo、W、Ta、Hf、Y、Zr或Cr之氮化物;(c)元素金属;及(d)其混合物。6.根据申请专利范围第1项之光罩坯料,其包含至少两层光学透明材料及至少两层光学吸收性材料。7.根据申请专利范围第1项之光罩坯料,其中交替层为周期性。8.根据申请专利范围第1项之光罩坯料,其中交替层为非周期性。9.一种制造衰减嵌入式相移光罩坯料之方法,该坯料能够在所选定之石印波长<400毫微米下产生180相移并具有光学透射系数为至少0.001,该方法包括沈积光学透明材料与光学吸收性材料之交替层于基材上之步骤。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中交替层为周期性。11.根据申请专利范围第9项之方法,其中交替层为非周期性。12.根据申请专利范围第9项之方法,其中系沈积至少两层光学透明材料,且其中系沈积至少两层光学吸收性材料。13.根据申请专利范围第9项之方法,其中光学透明材料系选自包括金属氧化物、金属氮化物、硷土金属氟化物及其混合物。mbox14.根据申请专利范围第9项之方法,其中光学透明材料系选自包括(a)Hf、Y、Zr、Al、Si或Ge之氮化物;(b)Al、Si、B或C之氧化物;(c)Mg、Ba或Ca之氟化物,及(d)其混合物。15.根据申请专利范围第9项之方法,其中光学吸收性材料系选自包括元素金属、金属氧化物、金属氮化物及其混合物。mbox16.根据申请专利范围第9项之方法,其 中光学吸收性材料系选自包括(a)Cr、Ti、Fe、In、Co、Bi、Mn、Cu、Sn、Ni、V、Ta、Mo、Ru、在镧系元素中之金属或W之氧化物;(b)Ti、Nb、Mo、W、Ta、Hf、Zr或Cr之氮化物;(c)元素金属;及(d)其混合物。17.根据申请专利范围第9项之方法,其中交替层系藉蒸气沈积进行沈积。18.根据申请专利范围第9项之方法,其中诸层系藉溅射沈积进行沈积。图示简单说明:第一图为一图表,说明在本发明AIN/MoNx光罩坯料中折射率(n)与%MoMx间之关系。第二图为一图表,说明在本发明AIN/MoNx光罩坯料中消光系数(k)与%MoMx间之关系。第三图为一图表,说明本发明AIN/MoNx光罩坯料之光学透射系数(%T)作为%MoMx之函数。第四图为一图表,说明在本发明AIN/MoNx光罩坯料中折射率(n)与%TiN间之关系。第五图为一图表,说明在本发明AIN/TiN光罩坯料中消光系数(k)与%TiN间之关系。第六图为一图表,说明在本发明AIN/TiN光罩坯料之光学透射系数(%T)作为与%TiN之函数。第七图为一图表,说明在本发明RuO2/HfO2光罩坯料中折射率(n)与%RuO2间之关系。第八图为一图表,说明在本发明RuO2/HfO2光罩坯料中消光系数(k)与%RuO2间之关系。第九图为一图表,说明在本发明RuO2/HfO2光罩坯料之光学透射系数(%T)作为与%RuO2之函数。第十图为一图表,说明在本发明RuO2/ZrO2光罩坯料中折射率(n)与%RuO2间之关系。第十一图为一图表,说明在本发明RuO2/ZrO2光罩坯料中消光系数(k)与%RuO2间之关系。第十二图为一图表,说明在本发明RuO2/ZrO2光罩坯料之光学透射系数(%T)作为%RuO2之函数。第十三图为一图表,说明在本发明AlN/MoNx光罩坯料之光学透射系数(%T)作为能量(E)之函数。第十四图为一图表,说明在本发明AlN/MoNx光罩坯料之光学反射率(%R)作为能量(E)之函数。 |
