| 主权项 |
1.一种经由于400℃至525℃反应温度以至少2.5:1之莫耳比反应丙烯及分子卤素制造烯丙基卤之方法,其特征为:(1)丙烯及分子卤素于“连续搅动槽反应器"(CSTR)区段于400℃至525℃部份反应而将丙烯及卤素部份转成烯丙基卤;及(2)来自步骤(1)之排放流馈入柱塞流反应器区段,于此处于400℃至525℃温度继续反应直到大体全部卤素皆被消耗为止。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该分子卤素为氯。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中该CSTR区段为略圆形,椭圆形或卵形,而柱塞流反应器区段为略管形。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该馈进反应器之丙烯对卤素之草耳比不超过5:1。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该CSTR区段温度为425℃500℃。6.如申请专利范围第3项之方法,其中该CSTR区段体积对CSTR区段与柱塞流反应器区段之总体积之比为0.4:1至0.85:1。7.如申请专利范围第3项之方法,其中于离开CSTR区段之排放流中未反应氯之浓度范围系占被反应剂浓度之10至50%范围。8.如申请专利范围第3项之方法,其中反应剂于反应器之总停留时间平均为0.3秒至7秒。9.一种反应器容器,其包括:(1)一个球形、卵形或椭圆形反应器区段(1);(2)一根搭接于球形、卵形或椭圆形反应区段之管形反应器区段(2);(3)一个或多个将气态反应剂注入球形、椭圆形或卵形反应器区段之入口(3)、(4);及(4)一个或多个供由管形反应器区段撤出气态产物之出口(5)。10.如申请专利范围第9项之反应器容器,其中该 CSTR区段体积对CSTR区段与柱塞流反应器区段之总体积比为0.4:1至0.85:1。图示简单说明:第一图为示例反应器之侧视图;第二图为第一图中反应器之球形CSTR区段(1)之顶视图。 |
