QUANTUM STRUCTURE INFRARED DETECTOR, UNCOOLED

摘要

L'invention concerne un détecteur, à structure quantique comportant un matériau semiconducteur à petit gap inséré entre deux matériaux semiconducteurs à grand gap, la structure comprenant un réseau de couplage entre l'onde à détecter et la zone détectrice constituée par le matériau à petit gap. Dans ces conditions, la zone détectrice peut être de très faible épaisseur (typiquement de l'ordre de 1 000 .ANG.) et conduire à une détectivité limitée par le courant d'obscurité, élevée. Application: Détection infrarouge.