选择性化学气相沉积形成铝接触栓的方法

摘要

一种改进的化学气相沉积(CVD)工艺,用以选择性地形成铝接触栓(aluminum plug)构造,其先对一形成有半导体器件及绝缘层的基底进行一真空热退火处理(thermalannealing treatment),然后利用二甲基乙基胺铝烷(Dimethylethylamine alane,DMEAA)作为母体(precursor),以化学气相沉积形成一铝层,其可选择性地只沉积在接触开口内半导体器件的导电区上,而不沉积在绝缘层表面上,制得一铝接触栓。

主权项

1、一种选择性化学气相沉积形成铝接触栓的方法，包括下列步骤：在一基底上形成一半导体器件，并且形成一绝缘层覆盖在其表面上，该绝缘层具有一接触开口，以露出该半导体器件的导电区；在真空环境中对该基底进行一热退火处理；以及利用二甲基乙基胺铝烷配位化合物作为母体，在不高于250℃的基底温度下，以化学气相沉积法形成一铝层，其选择性地沉积在该接触开口内的该导电区上，而不沉积在该绝缘层表面上，用以制作一铝接触栓。