发明名称 | 核径迹防伪膜的制造方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种核径迹防伪膜的制造方法,包括下列各步骤:选用透明塑料薄膜为原料,用反应堆产生的中子轰击铀-235产生的裂变碎片幅照塑料薄膜,再利用紫外线通过成像底片或模板对辐照后的塑料薄膜成像,最后用化学试剂对塑料薄膜进行选择性部分蚀刻,或利用印刷机把抗蚀刻的物质按图案要求印刷在塑料薄膜上,再用化学试剂对塑料薄膜进行选择性蚀刻,即为本发明的产品。本发明具有设备简单、易于实现规模生产,成品率高等优点。 | ||
申请公布号 | CN1184992A | 申请公布日期 | 1998.06.17 |
申请号 | CN97120352.0 | 申请日期 | 1997.12.12 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 严玉顺;何向明;张泉荣;万春荣;姜长印;王守忠 |
分类号 | G09F3/10 | 主分类号 | G09F3/10 |
代理机构 | 清华大学专利事务所 | 代理人 | 罗文群 |
主权项 | 1、一种核径迹防伪膜的制造方法,包括下列各步骤:(1)、选用厚度为5-25μm的透明塑料薄膜为原材料,利用核反应堆产生的中子轰击铀-235放出的裂变碎片辐照塑料薄膜,反应堆功率为1-5000千瓦,辐照时间为0.1-300秒,或利用高能离子加速器产生的重离子来辐照塑料薄膜,辐照时间为0.5-200秒;(2)、利用紫外线通过成象底片或模板对辐照后的塑料薄膜成象,紫外线灯功率为500-2000瓦,灯与薄膜的距离为0.1-50cm,成象时间为10秒-180分钟;(3)、用化学试剂对上述成象后的塑料薄膜进行选择性部分蚀刻,蚀刻剂为NaOH、KOH或H2SO4溶液,蚀刻时间为1-180分钟,蚀刻出清晰的图案后,洗涤晾干,即为本发明的核径迹防伪膜。 | ||
地址 | 100084北京市海淀区清华园 |