发明名称 |
共面X射线光电二极管装配器 |
摘要 |
所公开的是一种共面光电二极管(50)结构,它具有在X射线检测方面的特殊应用,其中被未掺杂材料(61)分开的交替P掺杂区(54)及N掺杂区(56)沿光电二极管及其相关的X射线闪光晶体(74)之间的表面定位并延伸到该表面以下相对浅的深度。 |
申请公布号 |
CN1185233A |
申请公布日期 |
1998.06.17 |
申请号 |
CN96193669.X |
申请日期 |
1996.05.03 |
申请人 |
模拟技术有限公司 |
发明人 |
亚历山大·T·博特卡;本·蒂韦尔;索林·马尔科维奇 |
分类号 |
H01L31/075;H01L31/115;H01L27/146;G01T1/24 |
主分类号 |
H01L31/075 |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
蹇炜 |
主权项 |
1、用于X射线检测的共面光电二极管,包括半导体装置,该半导体装置具有一个吸收面及与该所述面相邻接的:(a)第一掺杂区,它具有第一极性并延伸到所述半导体装置中一个第一深度;(b)第二掺杂区,它具有与第一掺杂区极性相反的极性,并延伸到所述半导体装置中一个第二深度,该第二深度实质上等于或大于所述第一深度;(c)一个实际上未掺杂区,它隔离所述第一及第二区并位于它们下部;及(d)第一电接触装置,它沿所述吸收面连接到所述第一区。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |