发明名称 共面X射线光电二极管装配器
摘要 所公开的是一种共面光电二极管(50)结构,它具有在X射线检测方面的特殊应用,其中被未掺杂材料(61)分开的交替P掺杂区(54)及N掺杂区(56)沿光电二极管及其相关的X射线闪光晶体(74)之间的表面定位并延伸到该表面以下相对浅的深度。
申请公布号 CN1185233A 申请公布日期 1998.06.17
申请号 CN96193669.X 申请日期 1996.05.03
申请人 模拟技术有限公司 发明人 亚历山大·T·博特卡;本·蒂韦尔;索林·马尔科维奇
分类号 H01L31/075;H01L31/115;H01L27/146;G01T1/24 主分类号 H01L31/075
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 蹇炜
主权项 1、用于X射线检测的共面光电二极管,包括半导体装置,该半导体装置具有一个吸收面及与该所述面相邻接的:(a)第一掺杂区,它具有第一极性并延伸到所述半导体装置中一个第一深度;(b)第二掺杂区,它具有与第一掺杂区极性相反的极性,并延伸到所述半导体装置中一个第二深度,该第二深度实质上等于或大于所述第一深度;(c)一个实际上未掺杂区,它隔离所述第一及第二区并位于它们下部;及(d)第一电接触装置,它沿所述吸收面连接到所述第一区。
地址 美国马萨诸塞州