| 发明名称 | 栅控截止硅可控整流器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种两步法制造GTO(1)中高渗透性阳极侧发射极(2)的方法。第一道工序是对阳极侧发射极(2)进行纵深扩散处理,阳极侧发射极(2)的厚度大于0.5微米,掺杂浓度大于10<SUP>17</SUP>厘米<SUP>－3</SUP>。第二道工序通过局部调整载流子寿命调整阳极侧发射极(2)的注入效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1185039A | 申请公布日期 | 1998.06.17 |
| 申请号 | CN97125353.6 | 申请日期 | 1997.12.02 |
| 申请人 | 亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司 | 发明人 | N·加尔斯特尔;S·克拉卡;A·维伯尔 |
| 分类号 | H01L29/744 | 主分类号 | H01L29/744 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈景峻;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种阳极侧个有阻断层(3)且具渗透性阳极侧发射极(2)的栅控截止硅可控整流器(1)的制造方法，其中第一道工序制取厚大于0.5微米小于5微米、掺杂浓度大于1017厘米-3小于5×1018厘米-3的阳极侧发射极(2)，第二道工序通过局部调整载流子的寿命来调整阳极侧发射极(2)的注入效率。 | ||
| 地址 | 瑞士巴登 | ||