低压化学气相沉积Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>的低漏电流薄膜的制作方法

摘要

一种制作半导体存储器件的具有低漏电流特性的Ta₂O₅薄膜电容电介质的方法,该方法的步骤包括:首先预备承载有一NH₃氮化多晶硅电极层的一半导体硅基底,并在该电极层上沉积Ta₂O₅的一层薄膜。接着再于N₂O气体中对该Ta₂O₅薄膜在大约800℃的温度下,持续大约30分钟而进行退火处理。此退火处理适合于在一炉管中以批次大量的方式进行处理,可获得低漏电流与可靠性的半导体存储电容电介质材料。

主权项

1、一种制作半导体存储器件的具有低漏电流特性的Ta2O5薄膜电容电介质的方法，该方法的步骤包含：预备承载有一电极层的一半导体硅基底；在该电极层上沉积Ta2O5的一层薄膜；与在N2O气体中对该Ta2O5薄膜进行退火处理。