| 发明名称 |
TRANSISTOR BIPOLAIRE A ISOLEMENT PAR CAISSON |
| 摘要 |
<P>L'invention concerne un circuit intégré comprenant un transistor bipolaire à isolement latéral par caisson (5). Une partie au moins de la périphérie interne supérieure du caisson d'isolement est évidée et remplie de silicium polycristallin (23) du type de conductivité de la base du transistor, pour former une région de prise de contact de base.</P> |
| 申请公布号 |
FR2756974(A1) |
申请公布日期 |
1998.06.12 |
| 申请号 |
FR19960015389 |
申请日期 |
1996.12.10 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
GRIS YVON |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/331;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/165;H01L29/732 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
