| 主权项 |
1.一种带电粒子束曝光装置用之透光罩,包含一光 罩基质 ,其具有以一矩阵方式设置之多数孔以及该光罩基 质之一 表面上于各孔处设置的一对偏折电极,该带电粒子 束系照 射到该等多数孔上并且被该等偏折电极所控制;一 粒子束 遮蔽层,其具有相对于该粒子束大于该光罩基质之 偏折率 并且系设置在该光罩基质之另一表面上。2.如申 请专利范围第1项之透光罩:其中该粒子束遮蔽层 包括含有金、钽、与钨之一群重金属材料的其中 之一者。3.如申请专利范围第1项之透光罩:其中该 等偏折电极包 括含有金、钽、与钨之一群重金属材料的其中之 一者。4.如申请专利范围第1.2.或3项之透光罩:其 中该成 对偏折电极之一电极是一接地电极并且该粒子束 遮蔽层与 该等接地电极电气地连接。5.一种带电粒子束曝 光装置用之透光罩,包含:一透光罩 基质,其具有以一矩阵方式设置之多数孔以及在一 表面上 于各孔处设置的一对偏折电极;一粒子束遮蔽基质 ,其具 有对应于该透光罩基质之之该等孔之位置设置的 多数孔以 及设置在其一表面上的一粒子束遮蔽层,该粒子束 遮蔽层 具有大于该透光罩基质之一带电粒子束偏折率;其 中该粒 子束遮蔽基质之另一表面系与该透光罩基质之另 一表面结 合。6.如申请专利范围第5项之透光罩:其中该粒子 束遮蔽基 质之另一表面系与该透光罩基质之另一表面结合 。7.如申请专利范围第5或6项之透光罩:其中该粒 子束遮 蔽层包括含有金、钽、与钨之一群重金属材料的 其中之一 者。8.如申请专利范围第5或6项之透光罩:其中该 等偏折电 极包括含有金、钽、与钨之一群重金属材料的其 中之一者 。9.如申请专利范围第5.6.7或8项之透光罩:其中该 成对偏折电极之一电极系设置在该光罩基质上并 且是一接 地电极并且该粒子束遮蔽层与该等接地电极电气 地连接。10.一种用于以形成一预定形状之一带电 粒子束照射一样 品之一所要位置的装置,该装置包含:用以产生该 带电粒 子束的粒子束产生装置;用以偏折该带电粒子束的 粒子束 偏折装置;一样品台,其系设置在远离该粒子束偏 折装置 之该粒子束下游并且系安装于其上;以及一透光罩 ,其系 安装在该粒子束产生装置与该粒子束偏折装置之 间,该透 光罩包含以一矩阵方式设置的多数孔以及于各孔 处设置的 一对偏折电极,该等偏折电极包括含有金、钽、与 钨之一 群重金属材料的其中之至少一者,其中具有由该透 光罩所 构成之该等偏折电极的表面系朝向该粒子束产生 装置。11.一种用于以形成一预定形状之一带电粒 子束照射一样 品之一所要位置的装置,该装置包含:用以产生该 带电粒 子束的粒子束产生装置;用以偏折该带电粒子束的 粒子束 偏折装置;一样品台,其系设置在远离该粒子束偏 折装置 之该粒子束下游并且系安装于其上;以及一透光罩 ,其系 安装在该粒子束产生装置与该粒子束偏折装置之 间,该透 光罩包含一光罩基质,其具有以一矩阵方式设置的 多数孔 以及在该光罩基质之一表面上于各孔处设置的一 对偏折电 极,以及一粒子束遮蔽基质,其具有在对应于该光 罩基质 之多数孔之位置处的多数孔以及设置在其一表面 上并且包 括含有金、钽、与钨之一群重金属材料之其中至 少之一者 的一重金属层,该粒子束遮蔽基质之另一表面系与 该透光 罩基质结合,其中具有该透光罩之重金属层的表面 系朝向 该粒子束产生装置。12.如申请专利范围第11项之 带电粒子束曝光装置;其中 ,该等偏折电极包括含有金、钽、与钨之一群重金 属材料 的其中之至少一者。图示简单说明:第一图是一BAA 型之 完整透光罩的一平面图;第二图是一孔区域之部份 放大平 面图;第三图是用以制造本发明之第一实施例之一 BAA型 透光罩之一步骤的横截面图;第四图是用以制造本 发明之 第一实施例之该BAA型透光罩之一步骤的横截面图; 第五 图是用以制造本发明之第一实施例之该BAA型透光 罩之一 步骤的横截面图;第六图是用以制造本发明之第一 实施例 之该BAA型透光罩之一步骤的横截面图;第七图是用 以制 造本发明之第一实施例之该BAA型透光罩之一步骤 的横截 面图;第八图是用以制造本发明之第一实施例之该 BAA型 透光罩之一步骤的横截面图;第九图是用以制造本 发明之 第一实施例之该BAA型透光罩之一步骤的横截面图; 第十 图是用以制造本发明之第二实施例之一BAA型透光 罩之一 步骤的横截面图;第十一图是本发明之一第三实施 例之一 制造步骤的横截面图;第十二图是本发明之该第三 实施例 之透光罩结构的一横截面图;第十三图是本发明之 该第三 实施例之另一种透光罩结构的一横截面图;第十四 图是显 示一镜筒之一示意图,解释在一BAA型透光罩安装在 一曝 光装置中时的情形;以及第十五图是一习知透光罩 的一横 截面图。 |
