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发明名称 Hall-IC hergestellt aus einem GaAs-Substrat
摘要
申请公布号 DE69032294(D1) 申请公布日期 1998.06.10
申请号 DE19906032294 申请日期 1990.11.06
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 ISHII, TETSUO, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIV., MINATO-KU, TOKYO 105, JP
分类号 H01L43/06;G01R33/07;H01L27/02;H01L27/22;(IPC1-7):H01L27/22 主分类号 H01L43/06
代理机构 代理人
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