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发明名称 Method for etching transistor gates using a hardmask
摘要
申请公布号 EP0837497(A3) 申请公布日期 1998.06.10
申请号 EP19970307549 申请日期 1997.09.25
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 KUMAR, AJAY;CHINN, JEFFREY;DESHMUKH, SHASHANK C.;JIANG, WEINAN;GUENTER, ROLF ADOLF;MINAEE, BRUCE;WILTSE, MARK
分类号 H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/321 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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