| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过用杂质注入法形成一个从MOS晶体管的源/漏区连续延伸的基极区作为本征基极区,并在位线的接触孔处形成发射极区而形成双极晶体管。或者,通过用杂质注入法在位线的接触孔处形成本征基极区和发射极区而形成双极晶体管。本征基极区做得比源/漏区深。另外,使本征基极区的杂质不同于连接基极区的杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN1184337A | 申请公布日期 | 1998.06.10 |
| 申请号 | CN97114051.0 | 申请日期 | 1997.06.26 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 牧幸生;本田裕己 |
| 分类号 | H01L27/11;H01L27/10;H01L21/8244;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/11 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;萧掬昌 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，其特征在于包括：金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管，它的源/漏区处在跨越沟道区的位置上，该沟道区是在半导体存储器部分的半导体区域的主平面上形成的；以及双极晶体管，它具有发射极区、基极区和集电极区。所述发射极区在所述源/漏区的接触孔处形成；所述基极区由与所述源/漏区公用的区构成；而所述集电极区由所述半导体区构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||