| 发明名称 |
MEMOIRE ELECTRONIQUE NON VOLATILE ET SON PROCEDE DE GESTION |
| 摘要 |
<P>Pour augmenter la densité d'intégration d'une mémoire de type EERROM on choisit de se passer de transistor de sélection. Pour aboutir alors à une sélection en effacement en programmation ou en lecture on choisit d'appliquer sur certaines connexions (r' différent de r) de la mémoire des tensions négatives ou de valeur moitié d'une tension de programmation (VPP).</P>
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| 申请公布号 |
FR2756658(A1) |
申请公布日期 |
1998.06.05 |
| 申请号 |
FR19960014715 |
申请日期 |
1996.11.29 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
TAILLIET FRANCOIS |
| 分类号 |
G11C16/04;G11C16/06;(IPC1-7):G11C16/02;G11C7/00 |
主分类号 |
G11C16/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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