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发明名称 Nichtflüchtige Speicherzelle mit zwei Polysiliziumebenen
摘要
申请公布号 DE69314964(T2) 申请公布日期 1998.06.04
申请号 DE19936014964T 申请日期 1993.12.31
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT 发明人 KRAMER, ALAN, BERKELEY, CA 94075, US;SABATINI, MARCO, I-25100 BRESCIA, IT
分类号 H01L21/8247;H01L29/10;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788;G11C27/00 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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