Verfahren zum Betreiben einer Halbleitervorrichtung, Halbleitervorrichtung zur Ausführung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung,申请号DE19934300108-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zum Betreiben einer Halbleitervorrichtung, Halbleitervorrichtung zur Ausführung und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung
摘要
申请公布号	DE4300108(C2)	申请公布日期	1998.06.04
申请号	DE19934300108	申请日期	1993.01.05
申请人	MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	TERASHIMA, TOMOHIDE, FUKUOKA, JP;TABATA, MITUHARA, FUKUOKA, JP;YOSHIZAWA, MASAO, ITAMI, HYOGO, JP;SATSUMA, KAZUMASA, ITAMI, HYOGO, JP
分类号	H01L21/66;G01R19/00;H01L29/06;H01L29/735;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/66;H01L23/58;H01L21/328	主分类号	H01L21/66
代理机构		代理人
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