| 发明名称 | 一种制造字线的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造字线的方法,首先在一硅基片上,形成一些栅极。之后在栅极之上依序形成一金属硅化物层与一富硅层,其中,富硅层可以是一具有较高硅浓度的金属硅化物,或是一纯硅层。以此方法制得字线包括富硅层、金属硅化物层与多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN1183634A | 申请公布日期 | 1998.06.03 |
| 申请号 | CN96121821.5 | 申请日期 | 1996.11.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴德源;盛义忠 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1、一种制造字线的方法，包括：提供一基片；在该基底上形成一栅极；在该栅极上，形成一第一金属硅化物层；以及在该第一金属硅化物层上，形成一第二金属硅化物层，其中该第二金属硅化物层的硅浓度比该第一金属硅化物层的硅浓度高。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||