| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件,包括:元件分离膜,配置于一假想基准线上;第一接合区,配置于该假想基准线的上部,并被该元件分离膜所包围;柱状的沟道区,与该第一接合区相连接;第二接合区,设于该柱状的沟道区的上部;栅极绝缘膜与字元线,包围在该柱状的沟道区的侧壁;位元线,连接于该第二接合区;柱状的电荷存贮电极,配置于该假想基准线的下部,并与该第一接合区相连接;介电膜,覆盖于该柱状的电荷存贮电极的表面;及板状电极,覆盖于上述介电膜上。本发明还涉及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1183648A | 申请公布日期 | 1998.06.03 |
| 申请号 | CN97121153.1 | 申请日期 | 1997.10.22 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 高尧焕;崔珍赫;姜相元 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包括：元件分离膜，配置于一假想基准线上；第一接合区，配置于该假想基准线的上部，并被该元件分离膜所包围；柱状的沟道区，与该第一接合区相连接；第二接合区，设于该柱状的沟道区的上部；栅极绝缘膜与字元线，包围在该柱状的沟道区的侧壁；位元线，连接于该第二接合区；柱状的电荷存贮电极，配置于该假想基准线的下部，并与该第一接合区相连接；介电膜，覆盖于该柱状的电荷存贮电极的表面；及板状电极，覆盖于上述介电膜上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||