发明名称 | 监控磁共振过程中插入器件附近的温度的温度监控系统 | ||
摘要 | 一种温度监控系统,这种温度监控系统用以监控组织因组织内电场的产生而引起的温升。这些电场是在磁共振程序中加上射频脉冲产生的,在插入的器件感应出电流。若检测出温升超过所选的阈值,温度监控系统就促使磁共振成象系统或者降低射频功率,或者终止磁共振程序。在成象或跟踪射频线圈与MR收信机之间可以采用光耦合方式来消除在磁共振程序过程中加射频脉冲引起的发热现象。 | ||
申请公布号 | CN1183587A | 申请公布日期 | 1998.06.03 |
申请号 | CN97118274.4 | 申请日期 | 1997.09.09 |
申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | C·L·杜莫林;R·D·沃特金斯;R·D·达罗;S·P·苏扎 |
分类号 | G05F1/66 | 主分类号 | G05F1/66 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;张志醒 |
主权项 | 1.一种磁共振成象系统中使用的安全子系统,用以在磁共振程序过程中监控插入的器件和对象组织附近的温度和调节加到所述对象的功率,其特征在于,包括:a)温度检测装置,用以检测所述插入的器件的选择部分内的温度;b)超温确定装置,用以确定所检测的温度是否超过所选的阈值;和c)功率改变装置,用以在磁共振程序过程中根据检测出的所述器件内的温度改变射频功率。 | ||
地址 | 美国纽约州 |