| 发明名称 | 半导体存储器的加速试验方法 | ||
| 摘要 | 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中,求出在某个温度T<SUB>1</SUB>下的信息保持寿命时间t<SUB>1</SUB>等于另一个温度条件T<SUB>2</SUB>下的信息保持寿命时间t<SUB>2</SUB>的乘幂的关系式,t<SUB>1</SUB>=t<SUB>2</SUB><SUP>m</SUP>,而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T<SUB>1</SUB>下的信息保持寿命时间t<SUB>1</SUB>来计算另一个温度T<SUB>2</SUB>下的信息保持寿命时间t<SUB>2</SUB>。 | ||
| 申请公布号 | CN1183647A | 申请公布日期 | 1998.06.03 |
| 申请号 | CN97119623.0 | 申请日期 | 1997.09.26 |
| 申请人 | 松下电子工业株式会社 | 发明人 | 田恭博;中尾圭策;井上敦雄;吾妻正道;藤井英治 |
| 分类号 | H01L27/04 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器的加速试验方法，该方法在存储单元中使用了强电介质膜的半导体存储器中记录信息，通过温度加速来评价在没有供给电源的状态下保持于该半导体存储器中的信息保持寿命时间，其特征在于：求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1与另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2的关系式，t1＝t2m；用温度的函数表示幂指数m；基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||