发明名称 |
用由假图形所形成的光刻胶掩模将层精确构图成目标图形的方法 |
摘要 |
由于显影后烘烤中的收缩而使光刻胶掩模(23a)的表面中出现张力,而形成于光刻胶掩模中的粘附力(23c)吸收了该张力,因而保持对半导体衬底(22)粘附力,防止了光刻胶图形出现不希望的变形。 |
申请公布号 |
CN1183579A |
申请公布日期 |
1998.06.03 |
申请号 |
CN95113199.0 |
申请日期 |
1995.12.28 |
申请人 |
日本电气株式会社 |
发明人 |
佐仓直喜 |
分类号 |
G03F1/14;H01L21/00 |
主分类号 |
G03F1/14 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
萧掬昌;邹光新 |
主权项 |
1.一种将层(22,31)构成图形的方法,包括下述工艺步骤:(a)制备光刻胶层(23;34)(b)把掩模图形(24a)转移到所述光刻胶层(23;34)上;(c)将所述光刻胶层(23;34)中的所述掩模图形(24a)显影,将所述光刻胶层构成光刻胶掩模(23a;34a;(d)烘烤所述掩模(23a;34a),提高附着力;(e)用所述光刻胶掩模(23a;34a)将层(22;31)构成图形,其特征是:所述掩模图形有,用于将所述层(22;31)构成所述图形的主图像(24c;25a),和用于在所述抗蚀胶层(23;34)中构成至少一个槽(23c;34c)的假图像(24d;25b),以使所述槽(23c;34c)在所述步骤C中构成在所述抗蚀胶掩模中(23a;34a)。 |
地址 |
日本东京都 |