| 主权项 |
1.一种应用于一半导体电浆反应机台中之插栓装置,该半导体电浆反应机台系对于用一具复数个孔之环片覆盖定位一晶片后该晶片所露出之部分进行电浆蚀刻,该插栓装置系包含复数个插栓,系用以固定该环片,嵌入相吻合于该环片上所具之该复数个孔,和该环片形成一表面无突兀结构之覆盖组件。2.如申请专利范围第1项所述之半导体电浆反应机台中之插栓装置,其中该复数个插栓系为复数个直流插栓,电连接于一阴极电极,以收集电浆中之电子。3.如申请专利范围第2项所述之插栓装置,其中该插栓之形状系一柱状型,以嵌入相吻合之方式,嵌入相吻合该环片上所具之该孔,且无突兀于该环片表面,其上方之外露端系呈一平面。4.如申请专利范围第2项所述之插栓装置,其中该插栓之形状系一柱状型,以嵌入相吻合之方式,嵌入相吻合该环片上所具之该孔,且无突兀于该环片表面,其上方之外露端系呈微凸之弧面结构。5.一种半导体电浆反应机台,其应用于对一晶片进行电浆蚀刻,该半导体电浆反应机台包含:一环片,其上具有复数个孔,其系覆盖定位该晶片以对该晶片露出之部分进行电浆蚀刻;以及复数个插栓,其系以无突兀于该环片表面之方式,嵌入相吻合于该环片上所具之该复数个孔。6.如申请专利范围第5项所述之半导体电浆反应机台,其中该复数个插栓系为复数个直流插栓,电连接于一阴极电极,以收集电浆中之电子。7.如申请专利范围第6项所述之半导体电浆反应机台,其中该插栓之形状系一柱状型,以嵌入相吻合之方式,嵌入相吻合该环片上所具之该孔,且无突兀于该环片表面,其上方之外露端系呈一平面。8.如申请专利范围第6项所述之半导体电浆反应机台,其中该插栓之形状系一柱状型,以嵌入相吻合之方式,嵌入相吻合该环片上所具之该孔,且无突兀于该环片表面,其上方之外露端系呈微凸之弧面结构。9.如申请专利范围第5项所述之半导体电浆反应机台,其中更包含:一阴极电极,该复数个插栓电连接于该阴极电极;一下承板,用以放置该晶片,该下承板系为一下电极板,其下连接该阴极电极;一控制装置,连接于该环片,用以控制该环片的移动,以利该晶片的定位和置换;一上盖,系一阳极电极,用以密闭该半导体电浆反应机台,该上盖距离该环片有一空间,蚀刻时,该半导体电浆反应机台内之电浆中,一带正电荷的离子被该阳极电极和该阴极电极之间的一电位差所加速,而轰击该下电极板表面放置的晶片;以及一外部圆筒,环绕该钳制环片和该阴极电极,以使该阴极电极周围和该半导体电浆反应机台内之电浆绝缘。10.如申请专利范围第9项所述之半导体电浆反应机台,其中该环片系包含:一钳制环片,经由该控制装置控制该钳制环片,用以定位该晶片于该下承板,或放松该晶片以利置换;以及一覆盖环片,经由该复数个插栓以无突兀于该覆盖环片表面之方式,嵌入相吻合于该覆盖环片上所具之该复数个孔定位于该钳制环片之上,用以使该钳制环片上的螺丝和该半导体电浆反应机台内之电浆绝缘。图示简单说明:第一图:习知之原厂美国应用电子材料公司之直流插栓零件之尺寸图。第二图:习知之原厂美国应用电子材料公司之MxP5000半导体电浆反应机台之顶视图。第三图:习知之原厂美国应用电子材料公司之MxP5000半导体电浆反应机台之剖面图。第四图:第一较佳实施例之柱状型直流插栓零件尺寸图。第五图:装置第一较佳实施例之柱状型直流插栓零件后之半导体电浆反应机台之顶视图。第六图:装置第一较佳实施例之柱状型直流插栓零件后之半导体电浆反应机台之剖面图。第七图:第二较佳实施例之柱状型直流插栓零件尺寸图。第八图:装置第二较佳实施例之柱状型直流插栓零件后之半导体电浆反应机台之顶视图。第九图:装置第二较佳实施例之柱状型直流插栓零件后之半导体电浆反应机台之剖面图。第十图:第三较佳实施例之直流插栓零件尺寸图。第十一图:装置第三较佳实施例之柱状型无突兀部分之覆盖组件后之半导体电浆反应机台之顶视图。第十二图:装置第三较佳实施例之柱状型无突兀部分之覆盖组件后之半导体电浆反应机台之剖面图。 |
