发明名称 半导体废气处理机之结构改良
摘要 本创作系关于半导体废气处理机之结构改良,主要包括:一环形氮气喷头,套设于反应腔顶面之混气管座外围,能在废气裂解腔壁生成一道氮气膜,以避免废气在腔壁上部产生颗粒堆积;一气体预热管路装置,系将助分解氮气及冲释用压缩空气二导管输出端由反应腔底部枢入于加热器隔热层,后盘旋穿出腔顶地分别接通前述环形氮气喷嘴及混气管座,藉加热器之热传导能在输出前获得一先行预热,以加速并提升废气在裂解腔内之分解效率;一水气分离装置,系在排气滤筒上段部增设一可调释压阀,藉适当加大气压降得令通过之经处理废气释出饱和水气,同时由堆置该处筒内之吸水性泡沫球吸附水份后再排出,以有效降低该排气中所含水份。
申请公布号 TW333371 申请公布日期 1998.06.01
申请号 TW086215502 申请日期 1997.09.10
申请人 陈聪茂 发明人 陈聪茂
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项 1.半导体废气处理机之结构改良,其特征在于,包括:一环形氮气喷头,套接于反应腔顶面之混气管座外围,其中环形喷头与反应腔之接面,于对应废气裂解腔内壁缘位贯一环形喷孔;一气体预热管路装置,系将氮气导管与压缩空气导管输出端,从反应腔底部枢入加热系统之隔热层并盘旋而上地穿出腔顶,后分别接通前述环形氮气喷头与混气管座;一水气分离装置,含一可调释压阀设于排气滤筒适中位,多个吸水性泡沫球局置于该排气滤筒出气口端;藉上述机构装置,作业时、环形氮气喷头得在废气裂解腔内壁喷出形成一层氮气膜以保护裂解控壁,而经预热管路装置混合于废气之氮气与压缩空气能加速并提升废气之分解率,另导入排气滤筒之废气能经释压使饱合水气凝结地由吸水性泡沫球吸附水份再排出,为其功效者。图示简单说明:第一图系一种已知昔式半导体废气处理机之结构示意图。第二图系本创作实施例之机组结构示意图。第三图系本创作实施例之反应腔结构示意图。第四图系本创作实施例之反应腔实施状态示意图。
地址 新竹巿东门街七十四号二楼