发明名称 MOSFET FABRICATION METHOD
摘要
申请公布号 KR0137733(B1) 申请公布日期 1998.06.01
申请号 KR19930028891 申请日期 1993.12.21
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS IND. CO.,LTD 发明人 PARK, SANG-HOON
分类号 H01L21/335;(IPC1-7):H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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