| 发明名称 |
MOS STATIC RAM WITH IMPROVED SOFT ERROR RESISTANCE;HIGH-LEVEL SUPPLY VOLTAGE DROP DETECTION CIRCUIT AND |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0136074(B1) |
申请公布日期 |
1998.06.01 |
| 申请号 |
KR19930018366 |
申请日期 |
1993.09.11 |
| 申请人 |
FUJITSU KK. |
发明人 |
FURUMOCHI, KATSUTO;SEINO, JUNJI |
| 分类号 |
G11C5/14;G11C11/412;G11C11/413;G11C11/417;G11C11/418;G11C11/419;(IPC1-7):G11C11/413 |
主分类号 |
G11C5/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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