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发明名称 Vereinfachtes Kontaktierungsverfahren für CMOS von hoher Dichte
摘要
申请公布号 DE69500949(T2) 申请公布日期 1998.05.28
申请号 DE1995600949T 申请日期 1995.05.19
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP., ARMONK, N.Y., US 发明人 BENNETT, REID STUART, ALBUQUERQUE, NEW MEXICO 87111, US;SEK-ON YEE, DENNIS, PLEASANTVILLE, NEW YORK 10570, US
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/336;H01L21/60;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/60 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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