| 摘要 |
<p>Bei einem Laser- und Verstärker-System wird vorgeschlagen, daß die Strahlung eines diodengepumpten Festkörperlasers (4) geringer Leistung, vorzugsweise aus Seltenerd- oder Übergangsmetall-dotierten Kristall- oder Glasmaterialien bestehend, eingekoppelt wird in einen Halbleiter-Verstärker-Chip (5), welcher vorzugsweise aus GaAs, GaAlAs, InGaAs oder InGaAsP besteht, und welcher durch Wahl des Materialsystems sowie der epitaktischen Strukturierung auf die Emissionswellenlänge des Festkörperlasers angepaßt die Strahlung des Festkörperlasers verstärkt und somit einen gegenüber der eingekoppelten Laserstrahlung verstärkten Ausgangsstrahl erzeugt.</p> |
