发明名称 | 具有反馈控制的区域加热系统 | ||
摘要 | 一种精确控制晶片基片上的温度分布的结构和方法,其中,用有多个加热区的射频感应线圈把待处理晶片加热到恒定而均匀的温度。各加热区用调谐到特定频率的电容器旁路。调节供给感应线圈的有特定频率的电流供给时间,可单独控制每个区域的温度。由于基座中产生的热量响应其中流过的电流并迅速变化,因此,能迅速校正晶片温度相对处理温度的偏差和表面上的温度梯度,可使晶片加热和冷却时温度均匀,提高准确率和精度。 | ||
申请公布号 | CN1183020A | 申请公布日期 | 1998.05.27 |
申请号 | CN97118020.2 | 申请日期 | 1997.08.07 |
申请人 | 康塞普特系统设计公司;爱德万斯德能源工业公司 | 发明人 | 罗伯特·D·梅尔霍;道格拉斯·S·沙茨;约瑟夫·H·麦克利什;马赫斯·K·桑甘尼里亚;恩里克·休雷斯·德尔索拉尔 |
分类号 | H05B6/02;H01L21/28 | 主分类号 | H05B6/02 |
代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
主权项 | 1.一种加热基片的系统,包括:第一加热部件,它包括具有若干区域的射频感应线圈,其中,所述若干区域的每一个区域被单独加电,以加热所述基片的相关部分。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |