| 摘要 |
<p>본 고안은 반도체 웨이퍼 증착장치에 관한 것으로, 종래에는 별도의 가열장치에서 가열하여 증착장치의 내부로 이동하므로, 번거로운 문제점이 있었고, 증착을 위한 층분한 가열온도를 유지하지 못하는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 증착장치는 챔버의 내측 하단부 양측에 할로겐 램프를 설치하고, 히터코일로 웨이퍼를 가열시 웨이퍼의 상부에서 웨이퍼를 가열할 수 있도록 함으로서, 증착을 위한 온도인 400℃∼450℃를 용이하게 유지하게 되어 질화티타늄막의 형성이 잘되는 효과가 있고, 이와 같은 가열과 증착을 하나의 장비 내부에서 실시함으로서 종래와 달리 번거로움이 해소되는 효과가 있다.</p> |
