| 摘要 |
In einem Verfahren zur Herstellung von begrenzten, dotierten Teilgebieten in einem Substratmaterial aus monokristallinem Silizium werden wenigstens zwei benachbarte Gräben (1, 2) mit einem im wesentlichen rechteckigen Querschnittprofil geätzt, deren längere Achse im wesentlichen normal auf die Oberflächenebene des Substrats orientiert ist. Anschließend werden wenigstens auf die sich normal zur Oberflächenebene erstreckenden Seitenwände der Gräben (1, 2) Dotierstoffe aufgebracht und die Dotierstoffe durch Hochtemperaturdiffusion bei Temperaturen von über 1000o C in das den Seitenwänden benachbarte Substratmaterial verteilt, wobei sich die Diffusion über die Breite des zwischen benachbarten Gräben vorhandenen Substratmaterials erstreckt und wenigstens ein Graben mit isolierendem Material, insbesondere Si-Oxid gefüllt wird. |
