| 发明名称 |
METHOD FOR ETCHING TRANSISTOR GATE USING HARD MASK |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10135194(A) |
申请公布日期 |
1998.05.22 |
| 申请号 |
JP19970284693 |
申请日期 |
1997.10.01 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS INC |
发明人 |
KUMAR AJAY;CHINN JEFFREY;DESHMUKH SHASHANK C;JIANG WEINAN;GUENTER ROLF ADOLF;MINAEE BRUCE;WILTSE MARK |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/306;H01L21/321 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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