| 发明名称 |
METHOD OF MEASURING DEFECT CONCENTRATION OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10135292(A) |
申请公布日期 |
1998.05.22 |
| 申请号 |
JP19960290970 |
申请日期 |
1996.11.01 |
| 申请人 |
SUMITOMO METAL MINING CO LTD |
发明人 |
IINO TAKAYUKI |
| 分类号 |
G01N27/00;G01N27/04;H01L21/66;(IPC1-7):H01L21/66 |
主分类号 |
G01N27/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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