| 摘要 |
<p>Ein Sensorelement weist einen gegenüber einer zu erfassenden physikalischen Größe empfindlichen Feldeffekttransistor (10) auf. Die Gate-Elektrode (20) des Transistors (10) ist als Floating-Gate ausgebildet. Dadurch sind in dem Sensorelement eine Sensorzelle und ein nicht-flüchtiger Speicher integriert. Mittels des Floating-Gates (20), auf dem Ladungen nicht-flüchtig gespeichert werden können, kann der Arbeitspunkt des Transistors dauerhaft eingestellt werden. Ferner können über eine einfache Schaltung Ladungen, die einer erfaßten physikalischen Größe entsprechen, nicht-flüchtig auf dem Floating-Gate (20) gespeichert werden.</p> |
