半导体装置及其制造方法

摘要

在第一层间绝缘膜上形成第一线后，形成第二层间绝缘膜和使其平面化，藉以形成通道孔洞。在此阶段使通道孔洞形成偏离第一线。其次，在形成第一线倾斜表面之露出边缘和露出侧壁之后，形成第二线使其具有或未具有被埋入到通道孔洞内之导电膜。因为以此方式使第一线之侧壁成为倾斜表面，所以可以将第二线之线材料或导电膜完全埋入到通道孔洞内，因此可以在第一线之整个倾斜表面具有良好之电连接。其结果是甚至于假如以下层连接第一线和以上层连接第二线之通道孔洞形成偏离第一线时，亦可以防止在通道孔洞内之线电阻之增加。

主权项

1.一种半导体装置,其特征是包含有:第一线,形成在半导体基体上和其侧壁为倾斜表面;层间绝缘膜,形成在第一线上;通道孔洞,设在该层间绝缘膜用来使该第一线之该倾斜表面露出;和第二线,形成在该通道孔洞和位于该层间绝缘膜上。2.一种半导体装置,其特征是包含有:第一线,形成在半导体基体上和其侧壁为倾斜表面;层间绝缘膜,形成在第一线上;通道孔洞,设在该层间绝缘膜用来使该第一线之该倾斜表面露出;导电膜,被埋入到该通道孔洞;和第二线,形成在该导电膜和该层间绝缘膜之上。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中被埋入到该通道孔洞之导电膜以铝膜形成。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中被埋入到该通道孔洞之导电膜以钨膜形成。5.一种半导体装置之制造方法,其特征是所包含之步骤有:在半导体基体上形成第一线;形成层间绝缘膜使其覆盖该第一线;在该层间绝缘膜形成通道孔洞用来使该第一线之边缘露出;对在该通道孔洞内露出之该第一线之边缘和侧壁进行喷溅,用来使该边缘和侧壁变成倾斜表面;和在该通道孔洞和该层间绝缘膜上形成第二线。6.一种半导体装置之制造方法,所包含之步骤有:在半导体基体上形成第一线;形成层间绝缘膜使其覆盖该第一线;在该层间绝缘膜形成通道孔洞用来使该第一线之边缘露出;对在该通道孔洞内露出之该第一线之边缘和侧壁进行喷溅,用来使该边缘和侧壁变成倾斜表面;将导电材料埋入该通道孔洞内;和在该导电膜和该层间绝缘膜上形成第二线。7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中使用铝膜作为被埋入到该通道孔洞之导电膜。8.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中使用钨膜作为被埋入到该通道孔洞之导电膜。图示简单说明:第一图是处理剖面图,用来显示本发明之第一较佳具体例之半导体装置之制造方法;第二图之视图用来显示第一较佳具体例之通道孔洞之线电阻和对通道孔洞之罩幕未对准量之间之关系;第三图是通道孔洞内之线电阻之评估图型之平面图;第四图是处理剖面图,用来显示本发明之第二较佳具体例之半导体装置之制造方法;第五图之视图用来显示第二较佳具体例之通道孔洞之线电阻之增加率和对通道孔洞内之罩幕未对准量之间之关系;第六图是处理剖面图,用来显示传统式之半导体装置之制造方法;和第七图是处理剖面图,用来显示半导体装置之制造方法。