| 主权项 |
1.mbox一种在金属氧化物半导体切换电路(MOS-Schaltkreisen)中制造接触孔之方法,该MOS电路系以SOI技术制成且具有一氧化物层(2)和一配置于氧化物层(2)之上之矽层(3),其特征为:构成矽层(3)之厚度比MOS切换电路中作用区域所需之厚度还大,在接触孔区域(4,5)上沈积第一光罩,且未遮蔽区域薄化至适合此作用区域的厚度,用第二光罩遮蔽作用区域(8),导线区域(6,7)和接触孔区域(4,5),且未遮蔽之区域用一在基质上局部氧化(LOCOS)之绝缘法予以绝缘,在后续步骤中在作用区域上产生一接点及一绝缘层,经由该绝缘层可进行接触孔的蚀刻。2.如申请专利范围第1项之方法,其中也以第一光罩遮蔽导线区域(6,7),特别是遮蔽源极导线区域(6)。3.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中在沈积第一光罩之接点中使用LOCOS技术。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二光罩比第一光罩大,而预留物(14)环绕接触孔区域(4,5)而形成。5.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中可制成互补金属氧化物半导体(CMOS)切换电路以及特别是N通道金属氧化物半导体(NMOS)电晶体。6.如申请专利范围第3项之方法,其中可制成互补金属氧化物半导体(CMOS)切换电路以及特别是N通道金属氧化物半导体(NMOS)电晶体。7.如申请专利范围第4项之方法,其中可制成互补金属氧化物半导体(CMOS)切换电路以及特别是N通道金属氧化物半导体(NMOS)电晶体。图示简单说明:第一图在实施第一光罩技术后之制法状态。第二图在实施第二光罩技术后之制法状态。第三图在制法之最后制成中之状况。 |
