发明名称 用于CMOS(互补型金属氧化物半导体)积体电路中检测故障之系统
摘要 实现以一种简单之系统来快速检测CMOS积体电路之故障,在测试下,一测试器1重复地施加一测试图型于一CMOS积体电路4,而一电源供应单位5透过一电流检测单位6供应电流至该CMOS积体电路4,该电流检测单位6输出一检出信号其系透过一放大器7而耦合到一功率频谱分析单位8以产生其功率频谱。当CMOS积体电路4具有故障时,设定与电晶体开关电流不同之一静态供应电流,每 (NT+T0)秒发生于测试图型之特定副图型之中。一检查单位9检测1/(NT+T0)[赫兹]之附近频率中检出信号之功率而检查静态电流,亦即,在测试下检查 CMOS积体电路4中之故障。
申请公布号 TW332259 申请公布日期 1998.05.21
申请号 TW086101315 申请日期 1997.02.04
申请人 电气股份有限公司 发明人 口和宏
分类号 G01R31/28;G06F11/22;H01L21/06 主分类号 G01R31/28
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种用于CMOS积体电路中检测故障之系统,其系于 一 CMOS积体电路中,藉观察当该电路由施加测试图型 而作业 时,于其中所造成之一供应电流内除了电晶体开关 电流外 之任何静态电流,该系统之特征为包括有:用于在 测试下 重复地施加一测试图型于该CMOS积体电路之装置; 电流检 测装置,用以检测供应至该CMOS积体电路之供应电 流;以 及用以产生由该电流检测装置所检出之供应电流 之功率频 谱的装置,其中该CMOS积体电路在测试下系根据一 预定频 带之供应电流之功率频谱中之功率大小而检查故 障。2.如申请专利范围第1项之用于CMOS积体电路中 检测故障 之系统,其中该测试图型系由N个各具备有一T秒循 环周期 之副图型所组成;以及该CMOS积体电路在测试下系 根据在 1/(NT+To)[赫兹]之附近频率中之供应电流之功率频 谱 中之功率大小而检查故障,其中该供应电流之功率 频谱系 于测试下以一(NT+To)秒之重复性循环周期重复地施 加该 测试图型于该CMOS积体电路而自该CMOS积体电路取 得。3.如申请专利范围第1项之用于CMOS积体电路中 检测故障 之系统,其中该测试图型系由N个各具备有一T秒循 环周期 之副图型所组成;以及该CMOS积体电路在测试下系 根据在 1/(NT+To)[赫兹]之附近频率中之供应电流之功率频 谱 中之功率大小而检查故障,其中该供应电流之功率 频谱系 于测试下以NT秒之重复性循环周期重复地施加该 测试图型 于该CMOS积体电路而自该CMOS积体电路取得。4.如申 请专利范围第1项之用于CMOS积体电路中检测故障 之系统,其中一用于仅通过一预定之频带之带通滤 波器代 替该功率频谱分析装置;以及该检查装置在测试下 根据通 过该带通滤波器之检出信号之功率来检查该CMOS积 体电路 之故障。5.如申请专利范围第4项之用于CMOS积体电 路中检测故障 之系统,其中该测试图型系由N个各具备有一T秒循 环周期 之副图型所组成且在测试下系以(NT+To)秒之重复地 施加 之循环时间重复地施加于该CMOS积体电路;以及该 带通滤 波器只通过在1/(NT+To)[赫兹]附近频率中之一频带 。6.一种用于CMOS积体电路中检测故障之系统,其系 于一 CMOS积体电路中,藉观察当该电路由施加测试图型 而作业 时,于其中所造成之一供应电流内除了电晶体开关 电流外 之任何静态电流,该系统之特征为包括有:一测试 器,用 于在测试下施加该测试图型于该CMOS积体电路;一 测试图 型储存装置,该测试图型之资料储存于其内;一程 式储存 装置,用以控制该测试器之驱动程式储存于其内; 一程式 储存装置,其中储存用以控制该测试器之驱动程式 ;一电 源供应单位,用于在测试下供应电源于该CMOS积体 电路; 一电流检测单位,用于在测试下检测自该电源供应 单位供 应至该CMOS积体电路之供应电流;一放大器,用以放 大来 自该电流检测单位之检出信号;一功率频谱分析装 置,用 以产生各频带之放大检出信号之功率;以及一检查 装置, 用于在滤波出各频带之后检测放大之检出信号之 功率大小 及根据在一预定频带中所检出功率之大小检查CMOS 积体电 路之故障。7.如申请专利范围第6项之用于CMOS积体 电路中检测故障 之系统,其中该测试图型系由N个各具备有一T秒循 环周期 之副图型所组成;该测试图型在测试下系以(NT+To) 秒之 重复性循环周期重复地施加于该CMOS积体电路;以 及该检 查装置在测试下系根据在1/(NT+To)[赫兹]之附近频 率 中之检出信号之功率大小来检查该CMOS积体电路。 8.如申请专利范围第6项之用于CMOS积体电路中检测 故障 之系统,其中该测试图型系由N个各具备有一T秒循 环周期 之副图型所组成;该测试图型在测试下系以NT秒之 重复性 循环周期重复地施加于该CMOS积体电路;以及该检 查装置 在测试下系根据在1/(NT)[赫兹]之附近频率中之检 出信 号之功率大小来检查该CMOS积体电路。9.如申请专 利范围第1项至第6项任一项之用于CMOS积体 电路中检测故障之系统,其中该电流检测单位含有 一电流 检测电阻器。10.如申请专利范围第1项至第7项任 一项之用于CMOS积 体电路中检测故障之系统,其中该电流检测单位含 有一电 流检测电阻器。11.如申请专利范围第1项至第8项 任一项之用于CMOS积 体电路中检测故障之系统,其中该电流检测单位含 有一电 流检测电阻器。12.如申请专利范围第6项之用于 CMOS积体电路中检测故 障之系统,其中用于仅通过一低于预定频率之频带 之低通 滤波器代替该功率频谱分析装置;以及该检查装置 在测试 根据通过该低通滤波器之检出信号之功率来检查 该CMOS积 体电路之故障。13.如申请专利范围第12项之用于 CMOS积体电路中检测故 障之系统,其中该测试图型系由N个各具备有一T秒 循环周 期之副图型所组成且在测试下系以(NT+To)秒之重复 施加 之循环时间重复地施加于该CMOS积体电路;以及该 带通滤 波器只通过在1/(NT+To)[赫兹]附近频率中之一频带 。图示简单说明:第一图系一方块图,显示根据本 发明第一 实施例之系统;第二图系一流程图,描绘根据本发 明之例 行检查;第三(A)至三(C)图系表示重复施加测试图型 与 CMOS积体电路之供应电流间关系之图示,用以解说 本发明 之原理;第四图系一方块图,显示本发明一不同之 实施例 ;第五图系表示重复施加测试图型与CMOS积体电路 之供应 电流间关系之图示;第六图系一方块图,显示本发 明之另 一实施例;第七图显示出使用电流检测电阻R之电 流检测 单位6a;第八图系一方块图,显示本发明之又一实施 例; 第九图系一方块图,显示本发明之再一实施例;第 十图显 示本发明之再一实施例;第十一图显示习知技术之 故障检 测系统之一实例;第十二图显示习知技术之故障检 测系统 之另一实例;第十三图显示执行于IC检查系统中用 于检查 ICs之电气特性之电流量度方法;以及第十四图描绘 可想 像之静态电流105之量度,此静态电流被造成为供应 电流 105而非CMOS积体电路中之电晶体开关电流。
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