固定值存储器单元装置及其制造方法

摘要

在固定值存储单元装置中,有第一存储单元,该单元有一个垂直的MOS－晶体管,还有第二存储单元,该单元没有垂直的MOS－晶体管,存储单元设置在沿着平行分布的条形绝缘沟槽(16)的相对侧面上。绝缘沟槽(16)的宽度和距离最好是相同的,因此制造存储单元装置所需要的空间是每个存储单元为2F²,此处F为在当时工艺中的最小结构尺寸。

主权项

1.固定值存储单元装置，-在此装置中，在一个半导体基片(1)的主面(3)上设有带有存储单元(25，26)的单元区域(5)。-在此装置中，半导体基片(1)至少在单元区域(5)被掺杂为第一种导电类型，-在此装置中，存储单元包括第一存储单元(25)，在这里第一逻辑值被存储，并且具有至少一个与主面(3)垂直的MOS-晶体管，还包括第二存储单元(26)，在这里第二逻辑值被存储，并且它没有MOS-晶体管，-在此装置中，在单元区域5里设有许多基本平行分布的条形绝缘沟槽(16)，-在此装置中，条形掺杂区域(14a，14b)被相应设置在绝缘沟槽(16)的底部和相邻绝缘沟槽(16)之间的主面(3)上，它们被掺杂为和第一种导电类型相反的第二导电类型，它们基本上平行于沟槽(16)分布，-在此装置中，存储单元相应被设置在绝缘沟槽(16)相对的侧壁上，-在此装置中，第一存储单元(25)各包括一个孔(20)，它从绝缘沟槽(16)之一的侧壁延伸进绝缘沟槽(16)，在它的表面设有栅介质(22)，并且它由栅电极(21)填充，因此它在与侧面相邻的条形掺杂区域(14a，14b)形成垂直MOS-晶体管的源/漏区域，在此装置中，设置字线(21a)，它垂直于绝缘沟槽(16)分布，并且和各个设置在相应字线(21a)下面的垂直MOS-晶体管的栅电极相连。