| 发明名称 | Bi层状结构强电介质薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 以Bi的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合物为原料,用CVD等分子沉积法或旋转涂布－烧结法在基板表面形成Bi层状结构的强电介质薄膜的方法。在收容槽1a和1b中分别封入Sr[Ta(OC<SUB>2</SUB>H<SUB>5</SUB>)<SUB>6</SUB>]<SUB>2</SUB>和Bi(OC(CH<SUB>3</SUB>)<SUB>2</SUB>C<SUB>2</SUB>H<SUB>5</SUB>)<SUB>3</SUB>。第1供给系统(1a,16a)保持在150℃,第2供给系统(1b、16b)保持在80℃,通过将载气N<SUB>2</SUB>流入第1和第2供给系统,将上述二原料的蒸汽导入成膜室5内。同时,向其导入氧气,在已加热的Si基片8上使上述二蒸汽热分解。 | ||
| 申请公布号 | CN1182286A | 申请公布日期 | 1998.05.20 |
| 申请号 | CN97114973.9 | 申请日期 | 1997.05.14 |
| 申请人 | 松下电子工业株式会社;株式会社高纯度化学研究所;西梅特里克司有限公司 | 发明人 | 宝地户雄幸;门仓秀公;松本政道;有田浩二;吾妻正道;大槻达男 |
| 分类号 | H01L27/04 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨丽琴 |
| 主权项 | 1、Bi层状结构强电介质薄膜的制造方法，在基板材料的表面上形成Bi(铋)层状结构强电介质薄膜，其特征是，使用包含有含Bi的有机化合物和金属聚烷氧基化合物的混合组合物作为原料，采用堆积法在基板材料的表面上形成Bi层状结构强电介质的薄膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||